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IGBT模块

（共找到“5”条查询结果）
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MOSFET 结型场效应管 IGBT模块 IPM模块 PIM模块

您是不是要找： 西门子igbt功率模块 智能igbt模块 三菱igbt模块 变频器igbt模块 功率模块igbt 富士IGBT模块

维库认证标签：源头工厂维库电子市场认证核实该公司为生产制造型企业申请源头工厂

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GPRS通讯模块MC35I
  • 型号/规格：

    MC35I

  • 品牌/商标：

    SIEMENS

  • 环保类别：

    无铅环保型

大功率IGBT模块
  • 型号/规格：

    SD20M60

  • 品牌/商标：

    SL

  • 环保类别：

    无铅环保型

供CM400DY-12H IGBT模块 三菱模块
  • 型号：

    全新CM400DY-12H

型号/规格 全新CM400DY-12H 厂家 三菱(MITSUBISHI) 封装 标准 类型 电源模块 现货供应;日本产,400A/600V/2单元,IGBT模块本公司主要经营三菱、富士、东芝、三社、三垦、西门康、西门子、欧派克，IR、英达\GTR、IGBT、...

IGBT.IKW20N60T
  • 型号/规格：

    IKW20N60T

  • 品牌/商标：

    INFINEON英菲凌

  • 环保类别：

    普通型

  • 中铭电子科技
  • 供应商等级： 免费会员
  • 企业类型：经销商
  • 地区:广东东莞

    • 电话：0769-85638990

    手机：15818335515

IGBT 场效应管 IRGIB10B60KD1
  • 型号/规格：

    IRGIB10B60KD1

  • 品牌/商标：

    IR

  • 环保类别：

    普通型

IGBT模块行业资讯

  • 上汽英飞凌 第10万只IGBT模块下线

    供货十万只，零市场投诉，用完美的成绩向所有客户表达上汽英飞凌追求最高质量标准的决心和信心。4月29日，上汽英飞凌举迎来第10万只IGBT模块下线及芯片焊接线成功量产。　　据悉，电力电子驱动模块（IGBT）属于能源转换与传输的核心器件，被广泛用于混合动力...

  • 一文读懂IGBT模块特点及技术发展趋势

    作为电力电子重要大功率主流器件之一，IGBT已经广泛应用于家用电器、交通运输、电力工程、可再生能源和智能电网等领域。在工业应用方面，如交通控制、功率变换、工业电机、不间断电源、风电与太阳能设备，以及用于自动控制的变频器。在消费电子方面，IGBT用于...

  • 贸泽开售专用于工业应用的ST ACEPACK IGBT模块

    贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起备货STMicroelectronics (ST) 的ACEPACK IGBT模块。Adaptable Compact Easier PACKage (ACEPACK) 模块属于专为工业应用而开发的新型塑料电源模块系列，可为3 kW – 30 kW的工业和电源管理解决方案提供高成本效益、高集成度的功率转换功能。这些稳健的模...

什么是IGBT模块?

  • 　　IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。 图1所示为一个N 沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构， N+ 区称为源区，附于其上的电极称为源极。N+ 区称为漏区。器件的控制区为栅区，附于其上的电极称为栅极。沟道在紧靠栅区边界形成。在漏、源之间的P 型区（包括P+ 和P 一区）（沟道在该区域形成），称为亚沟道区（ Subchannel region ）。而在漏区另一侧的P+ 区称为漏注入区（ Drain injector ），它是IGBT 特有的功能区，与漏区和亚沟道区一起形成PNP 双极晶体管，起发射极的作用，向漏极注入空穴，进行导电调制，以降低器件的通态电压。附于漏注入区上的电极称为漏极。 IGBT 的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道，给PNP 晶体管提供基极电流，使IGBT 导通。反之，加反向门极电压消除沟道，切断基极电流，使IGBT 关断。IGBT 的驱动方法和MOSFET 基本相同，只需控制输入极N一沟道MOSFET ，所以具有高输入阻抗特性。当MOSFET 的沟道形成后，从P+ 基极注入到N 一层的空穴（少子），对N 一层进行电导调制，减小N 一层的电阻，使IGBT 在高电压时，也具有低的通态电压。

  • 目录

IGBT模块技术资料

  • IGBT模块封装流程原理图

    IGBT模块封装是将多个IGBT集成封装在一起，以提高IGBT模块的使用寿命和可靠性，体积更小、效率更高、可靠性更高是市场对IGBT模块的需求趋势，这就有待于IGBT模块封装技术的开发和运用。目前流行的IGBT模块封装形式有引线型、焊针型、平板式、圆盘式四种，常见的模块封装技术有很多，各生产商...

  • 适用于高频开关的高速IGBT模块特点介绍

    如今节能的重要性日益显着，将IGBT模块用作开关器件的应用领域也不断拓展。为提高电能变换器的效率，研究者提出了很多新型拓扑电路，因而市场上对IGBT模块的需求也随之不断攀升。另一方面，由于IGBT的性能已经接近“硅限”，所以需要一种面向应用的IGBT模块设计。就是说，我们要专门为这些电...

  • IGBT模块使用中的注意事项

    由于IGBT模块为MOSFET结构，IGBT的栅极通过一层氧化膜与发射极实现电隔离。由于此氧化膜很薄，其击穿电压一般达到20～30V。因此因静电而导致栅极击穿是IGBT失效的常见原因之一。因此使用中要注意以下几点： 　　在使用模块时，尽量不要用手触摸驱动端子部分，当必须要触摸模块端子时，要先...

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