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场效应管(模块)

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源头工厂
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    • 型号/规格:

      全系列

    • 品牌/商标:

      AOS

    • 封装形式:

      SMD

    • 环保类别:

      无铅环保型

    • 安装方式:

      贴片式

    • 包装方式:

      卷带编带包装

  • 集电极最大耗散功率PCM:

    40

  • 集电极最大允许电流ICM:

    4

  • 封装形式:

    TO-126

  • 型号/规格:

    BD681

  • 材料:

    硅(Si)

  • 品牌/商标:

    ISC、iscsmi

  • 封装材料:

    塑料封装

  • 应用范围:

    功率

  • 型号/规格:

    2SK3065

  • 品牌/商标:

    ROHM(罗姆)

  • 封装形式:

    贴片

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    贴片式

  • 包装方式:

    卷带编带包装

  • 功率特征:

    小功率

  • 型号/规格:

    8N65

  • 品牌/商标:

    kevin

  • 封装形式:

    TO-220F

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    单件包装

  • 型号/规格:

    CS1N60

  • 品牌/商标:

    华晶

  • 封装形式:

    TO-251

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    盒带编带包装

  • 型号/规格:

    OGFD6703

  • 品牌/商标:

    OGFD

  • 封装形式:

    sot-23-6

  • 环保类别:

    普通型

  • 安装方式:

    贴片式

  • 包装方式:

    单件包装

  • 功率特征:

    小功率

  • 无锡羿胜华业科技公司
  • 供应商等级: 免费会员
  • 企业类型:生产企业
  • 地区:江苏无锡
  • 电话:0510-82864500

    手机:18118913227

  • 品牌/商标:

    华晶

  • 型号/规格:

    CS5B6002A

  • 种类:

    绝缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 用途:

    UNI/一般用途

  • 封装外形:

    WAFER/裸芯片

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 品牌/商标:

    NCE

  • 型号/规格:

    3050,3080,3010,3012,7580,7190,8580,8290,01H10等等

  • 种类:

    绝缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    V-FET/V型槽MOS

  • 封装外形:

    WAFER/裸芯片

  • 材料:

    GE-N-FET锗N沟道

  • 品牌/商标:

    YR

  • 型号/规格:

    IRF3205

  • 种类:

    绝缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 品牌:

    国产

  • 型号:

    2N60

  • 种类:

    绝缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    A/宽频带放大

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料:

    GaAS-FET砷化镓

  • 型号/规格:

    CS4N60A3HD

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 品牌/商标:

    华晶

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 种类:

    绝缘栅(MOSFET)

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 封装外形:

    P-DIT/塑料双列直插

  • 型号/规格:

    2SK117GR

  • 用途:

    A/宽频带放大

  • 品牌/商标:

    TOSHIBA/东芝

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 导电方式:

    增强型

  • 品牌/商标:

    Directed美国

  • 型号/规格:

    3842

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 用途:

    MIX/混频

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料:

    MES金属半导体

  • 品牌/商标:

    新洁能

  • 型号/规格:

    NCE75H21T

  • 种类:

    绝缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    D/变频换流

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 开启电压:

    2-4(V)

  • 品牌/商标:

    玉祁东顺

  • 型号/规格:

    IRF3205

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    SW-REG/开关电源

  • 封装外形:

    P-DIT/塑料双列直插

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 品牌/商标:

    国产

  • 型号/规格:

    BUZ11

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    D/变频换流

  • 封装外形:

    P-DIT/塑料双列直插

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 品牌/商标:

    新洁能

  • 型号/规格:

    NCE7580

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    CC/恒流

  • 品牌/商标:

    NEC/日本电气

  • 型号/规格:

    2SK4145B,K4145B

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 用途:

    逆变器,控制器

  • 封装外形:

    P-DIT/塑料双列直插

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 品牌/商标:

    NCE

  • 型号/规格:

    NCE20N60

  • 种类:

    绝缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    V-FET/V型槽MOS

  • 封装外形:

    P-DIT/塑料双列直插

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 品牌/商标:

    FUJI/富士通

  • 型号/规格:

    2SK3683-01MR

  • 种类:

    绝缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    L/功率放大

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 品牌/商标:

    SR

  • 型号/规格:

    1-100A/50-600V

  • 种类:

    绝缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    DC/直流

  • 封装外形:

    P-DIT/塑料双列直插

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

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