全系列
AOS
SMD
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
电话:0755-82810886
0755-82810799
0755-82810698
0755-82774022
手机:18938908018
18689492468
18922807474
13267081618
40
4
TO-126
BD681
硅(Si)
ISC、iscsmi
塑料封装
功率
电话:0510-85346880
手机:15961889150
P-DIT/塑料双列直插
CM300DY-12A
IGBT绝缘栅比极
MOS-HBM/半桥组件
Mitsubishi/三菱
N沟道
绝缘栅(MOSFET)
增强型
电话:0512-57600323
手机:18602223500
2SK3065
ROHM(罗姆)
贴片
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
小功率
电话:0510-87070646
手机:13376238060
RFD16N05SM9A
FAIRCHILD(飞兆)
TO-252AA
无铅环保型
TO-252AA
卷带编带包装
电话:025-66031668
手机:15312069085
APM2300CAC-TRG
茂达ANPEC
SOT23
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
电话:0512-66939654
手机:13912609409
UF730L/TO-220
UTC
TO-220
普通型
直插式
盒带编带包装
电话:0512-65874200-206
手机:18717750585
NCE6003
NCE
SOT23
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
电话:0512-50710709
手机:15950933050
全系列
中光
SMD
无铅环保型
贴片式
盒带编带包装
电话:0519-69806757
手机:
8N65
kevin
TO-220F
无铅环保型
直插式
单件包装
电话:0510-88150510
手机:13338119997
OR7090
ORTECH
TO-220
无铅环保型
直插式
管装
中功率
电话:0512-6257
手机:13915563401
IPP045N10N3
INFINEON(英飞凌)
TO-220
无铅环保型
直插式
管装
小功率
电话:0512-65561918
手机:13222986678
CS1N60
华晶
TO-251
无铅环保型
直插式
盒带编带包装
电话:0510-13812020156
手机:13812020156
ABL
95(%)
通用型导热硅脂
适用于电子元器件的热传递,如晶体管、镇流器、热传感器、电脑风扇等,大功率晶体管(塑封管)、二极管与基材(铝、铜板)接触的缝隙的传热介质、整流器和电气的导热绝缘
电话:025-87116545
手机:15251766019
FAIRCHILD/仙童
FGA25N120ANTD
绝缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
A/宽频带放大
CER-DIP/陶瓷直插
电话:86 025 68150265
手机:15251825816
进口
0.33UF63V
铝电解
晶体管电路
方块状
中功率
中频
固定
电话:86 0512 68184096
手机:13222208693
OGFD6703
OGFD
sot-23-6
普通型
贴片式
单件包装
小功率
电话:0510-82864500
手机:18118913227
FAIRCHILD/仙童
FQPF2N60C
绝缘栅(MOSFET)
MOSFET N 通道,金属氧化物
增强型
S/开关
TO-220-3 整包
N-FET硅N沟道
电话:0512-50111115
手机:13456331233
华晶
CS5B6002A
绝缘栅(MOSFET)
N沟道
耗尽型
UNI/一般用途
WAFER/裸芯片
N-FET硅N沟道
电话:86 0510 81805625
手机:13771500160
NCE
3050,3080,3010,3012,7580,7190,8580,8290,01H10等等
绝缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
V-FET/V型槽MOS
WAFER/裸芯片
GE-N-FET锗N沟道
手机:13510096050
YR
IRF3205
绝缘栅(MOSFET)
N沟道
耗尽型
N-FET硅N沟道
手机:
全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都),开发出6款沟槽栅结构※1)SiC MOSFET “SCT3xxx xR系列”产品(650V/1200V耐压),非常适用于要求高效率的服务器用电源、太阳能逆变器及电动汽车的充电站等。 此次新开发的系列产品采用4引脚封装(TO-247-4L),可充分地发挥出SiC MOSF...
日本半导体制造商罗姆(ROHM)宣布推出超级紧凑,尺寸为1.6 x1.6毫米的RV4xxx系列MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)产品,可提供优越的安装可靠性。该系列产品符合汽车电子可靠性标准AEC-Q101,即使在极端工作条件下,也可确保车用级可靠性和性能。此外...
Nexperia 的 LFPAK88 MOSFET 采用紧凑的 8 mm x 8 mm 基底面 作为 DPAK 的真正替代品, Nexperia 的 LFPAK88 采用真正创新的 8 mm x 8 mm 封装,提供业界领先的功率密度。LFPAK88 是最具挑战性设计的首选MOSFET。该 MOSFET 可用于汽车 AEC-Q101 和工业级。 LFPAK88 ...
为了稳定性,必须在 MOSFET 栅极前面放一个 100 Ω 电阻吗? 只要问任何经验丰富的电气工程师——如我们今天故事里的教授 Gureux ——在 MOSFET 栅极前要放什么,你很可能会听到“一个约 100 Ω 的电阻”。 虽然我们对这个问题的答案非常肯定,但你们或许会继续问——“为什么呢?...
功率 MOSFET 也有两年多时间了,这方面的技术文章看了不少,但实际应用选型方面的文章不是很多。在此,根据学到的理论知识和实际经验,和广大同行一起分享、探讨交流下功率 MOSFET 的选型。 由于相应理论技术文章有很多介绍 MOSFET 参数和性能的,这里不作赘述,只对实际选型用图解和简...
插电式混合动力/电动汽车(xEV)包含一个高压电池子系统,可采用内置的车载充电器(OBC)或外部的充电桩进行充电。充电(应用)要求在高温环境下具有高电压、高电流和高性能,开发高能效、高性能、具丰富保护功能的充电桩对于实现以尽可能短的充电时间续航更远的里程至关重要。常用的半导体器件有I...