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全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都),开发出6款沟槽栅结构※1)SiC MOSFET “SCT3xxx xR系列”产品(650V/1200V耐压),非常适用于要求高效率的服务器用电源、太阳能逆变器及电动汽车的充电站等。 此次新开发的系列产品采用4引脚封装(TO-247-4L),可充分地发挥出SiC MOSF...
日本半导体制造商罗姆(ROHM)宣布推出超级紧凑,尺寸为1.6 x1.6毫米的RV4xxx系列MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)产品,可提供优越的安装可靠性。该系列产品符合汽车电子可靠性标准AEC-Q101,即使在极端工作条件下,也可确保车用级可靠性和性能。此外...
Nexperia 的 LFPAK88 MOSFET 采用紧凑的 8 mm x 8 mm 基底面 作为 DPAK 的真正替代品, Nexperia 的 LFPAK88 采用真正创新的 8 mm x 8 mm 封装,提供业界领先的功率密度。LFPAK88 是最具挑战性设计的首选MOSFET。该 MOSFET 可用于汽车 AEC-Q101 和工业级。 LFPAK88 ...
为了稳定性,必须在 MOSFET 栅极前面放一个 100 Ω 电阻吗? 只要问任何经验丰富的电气工程师——如我们今天故事里的教授 Gureux ——在 MOSFET 栅极前要放什么,你很可能会听到“一个约 100 Ω 的电阻”。 虽然我们对这个问题的答案非常肯定,但你们或许会继续问——“为什么呢?...
功率 MOSFET 也有两年多时间了,这方面的技术文章看了不少,但实际应用选型方面的文章不是很多。在此,根据学到的理论知识和实际经验,和广大同行一起分享、探讨交流下功率 MOSFET 的选型。 由于相应理论技术文章有很多介绍 MOSFET 参数和性能的,这里不作赘述,只对实际选型用图解和简...
插电式混合动力/电动汽车(xEV)包含一个高压电池子系统,可采用内置的车载充电器(OBC)或外部的充电桩进行充电。充电(应用)要求在高温环境下具有高电压、高电流和高性能,开发高能效、高性能、具丰富保护功能的充电桩对于实现以尽可能短的充电时间续航更远的里程至关重要。常用的半导体器件有I...